Samsung анонсирует 3D-память нового поколения для центров обработки данных ИИ

Компания Samsung представила несколько новых решений в области памяти и хранения данных на мероприятии Future of Memory and Storage в Санта-Кларе. Хотя технологии выглядят впечатляюще, большая часть новой продукции будет использоваться в центрах обработки данных для ИИ, а не в обычных компьютерах. Были показаны первые концепт-модели zHBM на основе памяти HBM, которая применяется в дата-центрах, ИИ-ускорителях и ограниченном числе высокопроизводительных видеокарт. Архитектура zHBM размещает HBM вертикально над ИИ-ускорителями, а не рядом с ними, что может повысить производительность до восьми раз. Благодаря новейшей технологии соединения пластин плотность памяти более чем в десять раз превышает текущую HBM5, а энергоэффективность увеличивается втрое.

Также была анонсирована память V10 BV-NAND, предназначенная для SSD, карт памяти и других накопителей. Она использует архитектуру соединения V-NAND и позволяет укладывать более 400 слоев ячеек памяти. Это увеличивает плотность примерно на 58 процентов по сравнению с предыдущим поколением V9 и улучшает скорость чтения, записи и ввода-вывода. Компания представила и zNAND-O, решение для периферийных ИИ-сред, сочетающее высокую эффективность использования пространства, улучшенную производительность ввода-вывода и низкую задержку. Кроме того, показана LPDDR5X-PIM, первая в отрасли память LPDDR с технологией вычислений в памяти, позволяющая обрабатывать данные непосредственно в модуле памяти.

Samsung и SK Hynix контролируют большую часть мирового производства памяти, но не успевают удовлетворить спрос, вызванный бумом ИИ. Это приводит к резкому росту цен на электронику, включая игровые консоли, смартфоны и ноутбуки. Для тех, кто ждет доступной DDR5, новости вряд ли принесут скорое облегчение, ведь новые технологии ориентированы в первую очередь на ИИ-инфраструктуру.